[인민망 한국어판 4월 25일] 얼마 전 미국 상무부가 ZTE(中興通訊)에 수출규제 조치를 취하겠다고 발표하면서 국내 산업계가 촉각을 곤두세우고 있다. 이 사건이 중국 첨단기술산업의 급속한 성장을 가로막지나 않을까? 중국은 여러 가지 충격에 어떻게 대응해야 할까? 인민일보 기자는 공업정보화부 관계자 및 업계 전문가를 인터뷰했다.

수출규제가 중국 첨단기술산업의 급속한 발전 행보를 가로막지나 않을까?

왕창린(王昌林) 국가발전개혁위원회 거시경제연구원 상무부원장은 미국 상무부가 ZTE에 수출규제 조치를 취하겠다고 발표한 것이 중국의 첨단기술산업 발전에 영향을 미치긴 하겠지만 중국 첨단기술산업의 급속한 발전 행보를 가로막지는 못할 것이라고 밝혔다.

그는 이는 중국이 글로벌 첨단기술 산업사슬에서 중요한 위치에 있기 때문이라면서 미국이 중국의 핵심기술 수출을 대규모로 제한한다면 중국에 반드시 영향을 미칠 것이고, 동시에 미국과 일본, 한국의 전자정보산업에도 타격을 줄 것이라고 지적했다. 그러면서 미국 등 선진국의 제조업은 주로 첨단기술 제조업에 의존해 지탱된다는 것을 알아야 한다면서 만일 첨단기술산업이 대폭 하락한다면 미국의 관련 연구개발과 서비스 등의 산업과 나스닥 등 자본시장에도 여파가 미쳐 미국 경제와 글로벌 경제에도 중대한 영향을 끼칠 것이라고 말했다.

중국의 첨단기술산업 혁신이 중요한 진전을 거두면서 급속한 발전, 규모화 발전, 강한 발전의 많은 장점을 갖추었다. 그는 중국은 시스템 완전, 조립 완벽, 거대한 능력의 산업체계를 형성했고, 혁신형 선두기업이 기본적으로 형성되었으며, 수년의 노력을 통해 현재 중국은 칩, 조작시스템 등 분야에서 독자 지식재산권의 기술과 제품들을 보유하고 있고, 국내 시장 규모와 발전 잠재력이 거대하다고 분석했다.

왕 연구원은 또 무역갈등과 기술장벽은 한 국가의 첨단기술산업의 발전을 가로막기 어렵다는 것이 실천을 통해 입증되었다면서 1970년대 미국과 일본은 반도체 산업 분야에서 수년에 걸쳐 무역전쟁을 벌였지만 일본 반도체 산업의 굴기를 가로막지 못했고, 몇 년 전 미국 등 국가가 중국의 태양광 산업을 상대로 ‘반독점∙반덤핑’ 조사를 시행했지만 중국 태양광 산업의 급속한 발전 행보를 가로막지 못했다고 예를 들어 설명했다.

중국은 충격과 방해에 대응할 조건, 능력, 방법 있는지?

먀오웨이(苗圩) 공업정보화부 부장은 현재 중국은 완비된 인프라, 풍부한 인력 자본, 완비된 산업체계, 광활한 시장공간, 고효율적인 동원제도 등 분야에서 뛰어난 우위를 형성했다면서 중국의 산업기술 수준은 점점 더 글로벌 선두에 근접하고 있고, 전체적으로 기술 추격 후반부에 있으며, 고속철, 특고압 송변전, 통신 설비, 인터넷 응용 등의 분야에서 세계 선진 반열에 들었다고 말했다.

“ZTE 사건을 통해 중국의 전통 칩(chip)에 취약점이 존재한다는 것이 폭로되긴 했지만 중국은 혁신 발전 과정에서의 충격과 방해에 대응할 조건과 능력, 방법이 있다.” 쭤스취안(左世全) 중국전자혁신산업발전연구원 장비연구소 소장은 중국의 기술혁신 우위는 탄탄한 규모의 산업 우위, 세계 최대의 제조업 수요 잠재력, 역량을 집중해 일을 처리하는 제도적 우위와 필적할 상대가 없는 인재 자원 우위의 4가지 분야에서 나타난다고 설명했다.

공업정보화부 전자사(司) 관계자는 최근 중국의 칩 디자인 산업의 규모와 품질이 안정적으로 향상돼 세분화 분야에서 비교적 큰 돌파를 실현하면서 국산 칩의 관건 분야에 대한 서포팅 능력이 현저히 강화되었고, 선진 공정 생산라인 건설 속도가 부단히 가속화 되었으며, 패키징 및 테스트 산업도 국제 선진 수준에 근접했다고 소개했다.

뤄원(羅文) 공업정보화부 부부장은 현재 제조업 혁신 센터 건설에 집중 주력하고 업계 핵심 공통기술을 지향해 업계에서 반응이 두드러진 전용설비, 재료, 공정 등 공통기술 문제를 해결하고 과학기술 성과 전환화와 산업화의 ‘죽음의 계곡’을 뛰어넘어야 한다고 지적했다.

현재 중국 첨단 칩 연구제작 진전은?

제13차 5개년 국가 중점 연구개발 계획 ‘광전자와 마이크로 전자소자 및 집적’ 중점 프로젝트 전문가팀 팀장인 주닝화(祝寧華) 중국과학원 반도체소 부소장은 중국은 근래 광전자 분야의 과학기술 혁신을 끊임없이 지원해 풍성한 혁신 성과를 이룩했다고 말했다.

그는 ‘863’ 계획의 제12차 5개년 개발계획에서 볼 때 국가는 광대역 통신, 고성능 컴퓨터, 백본망(기간망), 광교환, 접속망, 무선통신과 극초단파∙광파 융합 등 분야 방향에서의 광전자 부품에 대해 중점 배치를 했다면서 “이들 연구개발 프로젝트는 대부분 선두에 배치된 것이고, ZTE가 이번에 규제를 받은 모든 칩은 12차 5개년 및 13차 5개년 국가 연구 계획 중에 상응하는 배치를 한 것”이라고 말했다.

또 현재 중국은 광전자 첨단 칩 연구제작에서 기본 조건을 갖추었다고 분석했다. 중국은 자주 혁신 발전을 실현하기 위해 2008년 국가과학기술 중대 프로젝트 ‘최대 규모 집적회로 제조 장비 및 패키지화 공정’을 시행했다. 9년간 난관을 돌파해 중국 집적회로 제조는 혁신체계 구축에 성공했다. 프로젝트 시행 전 국내 접적회로 제조의 가장 선진적인 양산 공정은 130나노미터, 연구개발 공정은 90나노미터였다. 9년간 중국 주류 공정 수준은 5세대(5G)로 높아져 55, 40, 28 나노미터 3세대 패키지화 공정 연구개발에 성공, 양산을 실현했으며, 22, 14 나노미터 선도기술 연구개발은 돌파를 이루었고, 14나노미터 부식기, 박막증착 등 30여 종류의 첨단 장비와 폴리싱액 등 수백 종류 재료 제품의 연구제작에 성공했고, 성능은 국제 선진수준에 달했다.

제13차 5개년 중점 연구개발 계획 광대역통신과 신형 인터넷 중점 프로젝트 전문가팀 팀원인 리훙빈(李紅濱) 베이징대학(北京大學) 교수는 우리가 기존의 개방, 경쟁협력, 공동 발전 노선을 흔들림 없이 견지하고 정부, 연구개발기관, 기업의 우위 역량에 집중한다면 머지않아 산업사슬 첨단인 핵심 칩에서도 세계가 주목하는 괄목할 만한 성과를 거둘 것이라고 단언했다. (번역: 이인숙)

원문 출처: 인민일보 클라이언트 

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